半導体ウェハー上に絶縁膜としてのSiO₂膜を堆積させる装置です。TEOS（Tetraethyl orthosilicate）ガスと酸素ガスをチャンバー内に導入し、高周波によってプラズマを発生させることで、比較的低温でSiO₂膜が成膜可能であり、半導体プロセスにおいて有効な手法となります。トランジスタのゲート酸化膜、表面パシベーション、半導体素子分離、マスクなど幅広く利用されています。