機器分析利用サービス一覧

Service List電子線描画装置(EB)

装置について

装置写真
機能試料上にサブミクロン・オーダーのパターニングを行う。
特長任意のパターンを作製可能。
用途ナノデバイス構造作製。MEMSデバイス作製。フォトニック結晶。
その他各種試料のパターニング

走査電子顕微鏡と同様に電子銃から発射された電子ビームをレンズで集束して非常に小さなスポットをサンプルに照射します。
このスポットは偏向とブランキング(ON/OFF)を制御することにより任意の位置での照射が可能となります。
描画するパターンデータをビーム制御系に送ることで、ナノスケールのパターニングが可能となります。
走査電子顕微鏡の動作原理につきましては、電解放射型走査電子顕微鏡を参照ください。

装置仕様

メーカー・形式日本電子・JBX-5000LS
加速電圧50/25kV
カソードLaB6 熱電界放出型電子銃源
最小ビーム径~ 8 nm
位置分解能~ 30 nm