機能：Si/Ge系材料の超高真空分子線蒸着を行う
特長：室温での非晶質膜堆積から高温での単結晶成長が可能。各種ドーピングが可能。
用途：Si/Ge系半導体超格子作製。様々な基板へのアモルファスSi, Ge膜の堆積。

分子線エピタキシー(MBE: Molecular Beam Epitxy)は物理蒸着法の一つで、超高真空下で電子線により原料をで加熱し、発生した分子線を基板に到達させて結晶成長を行う方法です。
積層膜の成膜においては、界面での組成変化を原子層レベルで制御することが可能で，超格子構造やヘテロ構造などの作製に用いられています。