機能	試料上に絶縁膜（Al2O3膜）を原子層ごとに堆積する
特長	原子層制御のため、非常に膜質の高品質な絶縁膜が得られる
用途	各種試料の上への極薄膜形成 半導体MOS構造作製。半導体の表面パッシベーション

ALD（Atomic Layer Deposition）は、真空を利用した成膜技術の一つです。 原子の自己制御性を利用して、プリカーサ（前駆体）の投入とパージを繰り返すことにより一層ずつ原子を堆積します。